收藏本站
IRF6604
10000
Ciss
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
6.0
5.0
4.0
ID= 9.6A
VDS= 24V
VDS= 15V
1000
Coss
3.0
2.0
Crss
1.0
100
1
10
100
0.0
0
5
10
15
20
25
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 150 ° C
1000
100
Q G Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
10
10
1
T J = 25 ° C
100μsec
1msec
1
Tc = 25°C
Tj = 150°C
10msec
0.1
V GS = 0 V
0.1
Single Pulse
0.0
0.5            1.0
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.5
2.0
0
1 10 100
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1000
4
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF6607TR1 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
IRF6613 MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-MT
IRF6614TR1 MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
IRF6633TR1 MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
IRF6644TR1 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
IRF6645 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
IRF6655TR1 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
IRF6665TR1 MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
相关代理商/技术参数
IRF6607 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6607TR1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6608 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6608TR1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6609 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6609TR1 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6609TR1PBF 功能描述:MOSFET 20V N-CH HEXFET 2mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6609TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 20V, 25A, DIRECTFET MT